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磨光片的腐蚀性能和检测分析
日期:2014-6-16 9:52:26返回:切割片
   磨光片腐蚀A/B:经切片及研磨等机械加工后,晶片表面受加工应力而形成的损伤层,通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀,用混酸溶液去除损伤层,产生氟化氢、NOX和废混酸;腐蚀B是碱性腐蚀,用氢氧化钠溶液去除损伤层,产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A,一部分采用腐蚀B。
  磨光片分档监测:对硅片进行损伤检测,存在损伤的硅片重新进行腐蚀。
  粗磨光片:使用一次研磨剂去除损伤层,一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废液。
  精磨光片:使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度,一般去除量1 um以下,从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。
  磨光片的检测:检查硅片是否符合要求,如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。
  检测:查看硅片表面是否清洁,表面如不清洁则从新刷洗,直至清洁
  包装:将单晶硅磨光片进行包装。
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